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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
63
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2489
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
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