RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
63
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2945
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link