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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.1
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
63
En -40% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
45
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
1499
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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