RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
63
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2903
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link