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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
63
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
49
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2504
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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