RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
63
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3000
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link