RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
18.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
4324
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link