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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
63
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2987
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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