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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3317
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15/16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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