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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Compara
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Puntuación global
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
66
En -128% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
29
Velocidad de lectura, GB/s
7.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1760
3754
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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