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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Puntuación global
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
66
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
39
Velocidad de lectura, GB/s
7.3
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1760
3027
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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