RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Compara
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
66
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
41
Velocidad de lectura, GB/s
7.3
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1760
1855
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link