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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Compara
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
66
Velocidad de lectura, GB/s
7.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1760
1699
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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