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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
66
En -164% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
25
Velocidad de lectura, GB/s
7.3
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1760
4046
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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