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Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
54
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
54
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1990
2321
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
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