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Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Compara
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
32
44
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2212
2037
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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