RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3938
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link