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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3692
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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