RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
42
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
41
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2058
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link