RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2353
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F26UB16GH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link