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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3090
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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