RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2750
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link