RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
42
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2660
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link