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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
69
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
69
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1576
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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