RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
42
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3849
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link