RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
42
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
21.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
4250
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link