RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3164
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link