Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Puntuación global
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Puntuación global
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 42
    En -31% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.3 left arrow 10.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.9 left arrow 9.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.6 left arrow 18.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 14.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2423 left arrow 3149
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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