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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2885
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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