RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3271
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link