RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
42
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2980
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link