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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
54
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
54
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2354
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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