RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
43
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
43
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2794
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link