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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
46
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
42
46
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2400
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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