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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Compara
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Puntuación global
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
63
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
63
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2061
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
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