RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
75
En -159% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3412
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link