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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
75
En -241% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3295
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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