RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
75
En -121% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3206
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link