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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
75
En -150% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3021
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
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Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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