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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
69
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2231
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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