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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
22
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
69
En -306% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
17
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
22.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3731
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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