RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
69
En -146% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3734
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link