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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En -176% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2991
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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