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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
69
En -245% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
20
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3088
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
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