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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3834
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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