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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
69
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3699
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
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