RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
69
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2489
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link