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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
69
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2915
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
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