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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
69
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3226
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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