RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
69
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3001
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link